2001《半导体物理》考试范围

1、作者: 刘恩科 / 朱秉生，《半导体物理（第七版）》，出版社: 机械工业出版社

2、尼曼编著，《半导体物理与器件(第4版)/国外电子与通信教材系列》，电子工业出版社

考试大纲：

1、半导体中的电子状态

半导体的晶格结构和结合性质；半导体中的电子状态和能带；半导体中电子的运动、有效质量；本征半导体的导电机构、空穴；回旋共振；常见半导体的能带结构；

2、 半导体中杂质和缺陷能级

硅、锗晶体中的杂质能级；Ⅲ–Ⅴ族化合物中的杂质能级；氮化镓、氮化铝、碳化硅中的杂质能级；缺陷、位错能级。

3、 半导体中载流子的统计分布

状态密度；费米能级和载流子的统计分布；本征半导体的载流子浓度；杂质半导体的载流子浓度；一般情况下的载流子统计分布；简并半导体；电子占据杂质能级的概率。

4、 半导体的导电性

载流子的漂移运动和迁移率；载流子的散射；迁移率与杂质浓度和温度的关系；电阻率及其与杂质浓度和温度的关系；玻耳兹曼方程、电导率的统计理论；强电场下的效应、热载流子；多能谷散射，耿氏效应。

5、 非平衡载流子

非平衡载流子的注入与复合；非平衡载流子的寿命；准费米能级；复合理论；陷阱效应；载流子的扩散运动；载流子的漂移扩散，爱因斯坦关系式；连续性方程式；硅的少数载流子寿命与扩散长度。

6、 pn结

pn结及其能带图；pn结电流电压特性；pn结电容；pn结击穿；pn结隧道效应。

7、 金属和半导体接触

金属半导体接触及其能级图；金属半导体接触整流理论；少数载流子的注入和欧姆接触。

8、 半导体表面和MIS结构

表面态；表面电场效应；MIS结构的C-V特性；硅–二氧化硅系统的性质；表面电导及迁移率；表面电场对pn结特性的影响。

9、 半导体异质结构

半导体异质结及其能带图；半导体异质pn结的电流电压特性及注入特性；半导体异质结量子阱结构及其电子能态与特性；半导体应变异质结构；GaN基半导体异质结构；半导体超晶格。

10、 半导体的光、热、磁、压阻等现象

半导体的光学常数，半导体的光吸收，半导体的光电导，半导体的光生伏特效应，半导体发光，半导体激光，热电效应的一般描述，半导体的温差电动势率，半导体的玻尔帖效应，半导体的汤姆孙效应，半导体的热导率，半导体热电效应的应用，霍耳效应，磁阻效应，磁光效应，量子化霍耳效应，热磁效应，光磁电效应，压阻效应，声波和载流子的相互作用。

考题类型：

概念题、分析论述题、推导题、作图题、计算题