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《半导体物理与器件》考试大纲
考试内容
1. 半导体中的电子状态：半导体晶体结构与化学键性质;半导体中电子状态与能带;电子的运动与有效质量;空穴和回旋共振;元素半导体和典型化合物半导体的能带结构。
2. 半导体中杂质和缺陷能级：元素半导体中的杂质能级；化合物半导体中的杂质能级、位错和缺陷能级。
3. 半导体中载流子的统计分布：状态密度及Fermi能级；载流子统计分布；本征和杂质半导体的载流子浓度；补偿半导体的载流子浓度；简并半导体的定义。
4. 半导体的导电性：载流子的漂移运动；迁移率及载流子的散射；迁移率与杂质浓度和温度的关系；电阻率与杂质浓度和温度的关系；强场效应与热载流子。
5. 非平衡载流子：非平衡载流子的产生与复合；非平衡载流子寿命；准费米能级；复合理论及陷阱效应；非平衡载流子的扩散与漂移；爱因斯坦关系及连续性方程。
6. pn结理论：空间电荷区的形成；不同偏压下的pn结能带图及参数变化；内建电势差、势垒电容的定义；单边突变结的特性与属性。
7. pn结二极管基本工作原理：理想pn结电流-电压关系；不同偏压下的pn结电荷流动机制；空间电荷区边缘少子浓度的边缘条件；短二极管及扩散电容；产生与符合电流；雪崩击穿机制。
8. 金-半异质结：肖特基势垒二极管在不同偏压下的能带图；肖特基势垒二极管的原理；欧姆接触及隧道效应；二维电子气的定义。
9. 双极晶体管基本工作原理：双极晶体管的基本结构、原理及少数载流子分布；低频电流增益和非理想效应；双极晶体管的等效电路模型；频率特性和开关特性。
10. 金属-氧化物-半导体场效应结构物理基础：MOS结构的物理性质；能带结构与空间电荷区；平带电压与阈值电压；电容电压特性。
11. MOSFET基本工作原理：MOSFET基本结构；MOSFET电流电压关系；衬底偏置效应；MOSFET的频率特性；闩锁现象。
12. MOSFET器件的深入概念：MOSFET中的非理想效应;MOSFET的按比例缩小理论;小尺寸器件的阈值电压;MOSFET器件的击穿特性。
13. 结型场效应晶体管基本工作原理：JFET和MESFET的基本工作原理；内建夹断电压和夹断电压的定义；JFET非理想效应；
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