2018年成都信息工程大学集成电路工艺考研复试大纲

成都信息工程大学 _2018 _年硕士研究生入学考试自命题科目
考试大纲：
考试阶段：复试 科目满分值：100
考试科目：集成电路工艺 科目代码：
考试方式：闭卷笔试 考试时长：180 分钟
一、科目的总体要求
主要考察学生对《集成电路工艺》课程中基本知识、原理以及技
能的掌握情况，並具有一定工艺分析和设计以及解决工艺问题和提高
产品质量的能力。
二、考核内容与考核要求
《集成电路工艺》共包含 6 个部分的内容：硅和硅片制备，氧化
与淀积工艺，光刻工艺，刻蚀工艺，离子注入工艺，金属化工艺。
（一）第一部分 硅和硅片制备
1、（掌握）硅圆片制备及规格；
2、（掌握）晶体缺陷、半导体制造中的污染控制与缺陷检测。
（二）第二部分 氧化与淀积工艺
1、（掌握）SiO2 结构及性质，硅的热氧化及影响氧化速率的
因素及氧化缺陷；
2、（掌握）化学气相淀积薄膜及技术的分类；
3、（了解）化学汽相淀积（CVD）基本化学过程，各种不同
材料、不同模式 CVD 方法系统原理、工艺与主要设备。
（三）第三部分 光刻工艺
1、（掌握）光刻工艺的原理、方法和流程；
2、（了解）掩膜版的制造，光刻技术分类；
3、（掌握）光刻工艺的 8 个基本步骤，光源及光学设备，对准及
主要曝光方式；
4、（了解）光刻缺陷控制和检测以及光刻工艺技术的最新动态。
（四）第四部分 刻蚀工艺
1、（掌握）刻蚀分类（湿法刻蚀、干法刻蚀）及应用；
2、（掌握）干法刻蚀系统，半导体生产中常用材料的刻蚀技术。
（五）第五部分 离子注入工艺
1、（掌握）离子注入原理、特点及应用；了解离子注入系统组成；
2、（掌握）离子注入浓度分布，注入损伤和退火。
（六）第六部分 金属化工艺
1、（掌握）溅射、蒸发原理；
2、（掌握）金属化系统组成，形貌及台阶覆盖问题的解决方案；
3、（了解）ULSI 的多层布线技术对金属性能的基本要求。
三、题型结构
考试满分 100 分，包含多种题型，有填空、选择、是非、问答和
综合分析题型。