2018年成都信息工程大学814光电子器件考研大纲

成都信息工程大学 2018 年硕士研究生入学考试自命题科目
考试大纲：
考试阶段：初试 科目满分值：150
考试科目：光电子器件 科目代码：814
考试方式：闭卷笔试 考试时长：180 分钟
一、科目的总体要求
掌握光电导探测器件的光电转换机理及光敏电阻的器件结构、工作
原理和特性。掌握结型光电探测器的光电转换机理，基本结构及工作原
理；掌握光电池、光电二极管与光电三极管的光谱响应、转换效率、噪
声、光生载流子产生及输运的物理过程与物理图像。掌握光电发射器件
的光电转换机理、基本结构、工作原理，光电倍增管的主要特性和参数。
掌握 CCD 电荷产生、注入、传输、读出及其基本电路结构、CCD 主要
电学特性；掌握电荷输运的物理过程、物理图像、寄生效应与器件物理
关系；掌握 CCD 和 CMOS 图像传感器的基本结构和工作原理。
二、考核内容与考核要求
（一）光电导探测器
1、（掌握）光电子器件的基本特性
2、（掌握）光电导探测器原理
3、（掌握）光敏电阻的特点、结构与特性
（二）结型光电探测器
1、（掌握）光生伏特效应定义
2、（掌握）光电池的结构与特性
3、（掌握）光电二极管的结构、原理与特性，包括 P 结型、PIN 型
和 APD 型
4、（掌握）光电三极管的结构与工作原理
（三）光电阴极与光电倍增管
1、（掌握）光电发射过程原理与阴极材料（多碱阴极与负电子亲和
势光电阴极）
2、（掌握）真空光电管的原理与特性
3、（掌握）光电倍增管的结构、原理与特性
（四）CCD 和 CMOS 成像器件
1、（掌握）电荷耦合器件的基本原理
2、（掌握）电荷耦合器件基本结构
3、（掌握）CCD 的主要特性
4、（掌握）电荷耦合成像器件的基本原理
5、（掌握）CMOS 型成像器件的像素构造
三、题型结构
考试包含三种题型:名词解释、简答题、论述与综合分析题。
四、其它要求
1、考试形式为笔试，考生无需携带计算器参加考试。
2、本科目考试时间为 3 小时，具体考试时间以《准考证》为准。