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2019年沈阳工业大学微电子器件工艺考研加试大纲
硕士研究生入学考试大纲加试科目名称:微电子器件工艺一、参考书目《微电子制造科学原理与工程技术》电子工业出版社 2003.1 Stephen A. Campbell二、考试要求:系统地掌握外延、扩散、离子注入、氧化、光刻、制版等微电子工艺原理,并能完成工艺设计。三、考试内容:1)加工环境与衬底制备a: 微电子器件的加工环境 b: IC 发展与硅材料的关系c: 衬底制备2)外延a: 外延工艺 b: 外延层质量的控制 3)氧化技术a: 二氧化硅在微电子器件制造中的用途b: 二氧化硅的特性 c: 二氧化硅的制备方法3) 扩散技术a: 掺杂在微电子器件中的应用b: 掺杂方式、掺杂原理、液态源扩散、固态源扩散和扩散层质量分析与检验c: 离子注入4)光刻技术a: 光刻胶的特性和配制 b: 光刻工艺c: 光刻质量分析5) 制版技术a: 掩模版图形的形成 b: 电子束制版6) 表面图形的形成a: 湿法腐蚀、干法腐蚀、砷化镓腐蚀、7) 表面钝化a: 钝化方法8) 隔离技术a: PN 结隔离技术 b: 二氧化硅介质隔离9) 电极制备及封装a: 欧姆接触 b: 蒸发与溅射 c:平坦化技术10) CMOS 集成电路工艺设计a:CMOS 工艺设计 b:多晶硅栅制造工艺 c:CMOS 工艺设计规则d: n 阱 CMOS 反相器的电路与管芯制造工艺过程11) 超纯水的制备a:超纯水的制备方法 b:微电子器件使用的制水系统