2018年沈阳工业大学微电子器件工艺加试考研大纲加试大纲

硕士研究生入学考试大纲
加试科目名称：微电子器件工艺
一、参考书目
《微电子制造科学原理与工程技术》电子工业出版社 2003.1 Stephen A. Campbell
二、考试要求：
系统地掌握外延、扩散、离子注入、氧化、光刻、制版等微电子工艺原理，并能完成工艺设计。
三、考试内容：
1）加工环境与衬底制备
a: 微电子器件的加工环境 b: IC 发展与硅材料的关系
c: 衬底制备
2）外延
a: 外延工艺 b: 外延层质量的控制 3）氧化技术
a: 二氧化硅在微电子器件制造中的用途
b: 二氧化硅的特性 c: 二氧化硅的制备方法
3) 扩散技术
a: 掺杂在微电子器件中的应用
b: 掺杂方式、掺杂原理、液态源扩散、固态源扩散和扩散层质量分析与检验
c: 离子注入
4）光刻技术
a: 光刻胶的特性和配制 b: 光刻工艺
c: 光刻质量分析
5) 制版技术
a: 掩模版图形的形成 b: 电子束制版
6) 表面图形的形成
a: 湿法腐蚀、干法腐蚀、砷化镓腐蚀、
7) 表面钝化
a: 钝化方法
8) 隔离技术
a: PN 结隔离技术 b: 二氧化硅介质隔离
9) 电极制备及封装
a: 欧姆接触 b: 蒸发与溅射 c:平坦化技术
10) CMOS 集成电路工艺设计
a:CMOS 工艺设计 b:多晶硅栅制造工艺 c:CMOS 工艺设计规则
d: n 阱 CMOS 反相器的电路与管芯制造工艺过程
11) 超纯水的制备
a:超纯水的制备方法 b:微电子器件使用的制水系统