2016年天津理工大学810半导体物理考研大纲

天津理工大学 2016 年硕士研究生入学考试大纲
一、考试科目：半导体物理 (810)
二、考试方式：考试采用笔试方式，考试时间为 180 分钟，试卷满分为 150 分。
三、试卷结构与分数比重：
填空及选择题：20%；简答题：20%；综合题：60%。
四、考查的知识范围:
1．半导体中的电子状态（10％）：能带论，半导体中的电子运动、有效质量，本征
半导体的导电机制、空穴，锗、硅、砷化镓和锗硅的能带结构。
2．载流子的统计分布（15％）：状态密度，费米能级和载流子的统计分布，本征半
导体的载流子浓度，杂质半导体的载流子浓度。一般情况下的载流子的统计分布。
3．半导体的导电性（15％）：载流子的漂移运动，载流子的散射，迁移率与杂质浓
度和温度的关系，玻尔兹曼方程；强电场效应，热载流子。
4．非平衡载流子（20％）：非平衡载流子的注人与复合，非平衡载流子的寿命，准
费米能级，复合理论，陷阱效应，载流子的扩散运动、连续性方程。
5．PN 结（15％）：PN 结及其能带图，PN 结电流电压特件。
6．金属和半导体的接触（10％）：金属和半导体接触的整流理论，少数载流子的注
人，欧姆接触。
7．半导体表面与 MIS 结构（15％）：表面电场效应，理想与非理想的 MIS 结构的
C-V 特性，Si-SiO2 系统的性质，表面电导。
五、参考书目：
见 2015 年研究生招生专业目录