2018年江南大学半导体物理（含半导体器件）考研大纲

2018年江南大学硕士研究生入学考试
《半导体物理（含半导体器件）》考试大纲
一、考试的总体要求
掌握半导体物理的基本理论、基本知识和重要概念，了解一些半导体材料、工艺和基本
器件结构的基础知识。要求考生对基本概念有较深入的了解，能利用所学知识对具体问题进
行分析和解答。
需要较熟练掌握的内容包括，常见半导体材料的晶体结构，能带的基本概念，杂质和缺
陷能级，电离能，有效质量，迁移率，费米能级和载流子的统计分布，PN 结的形成、能带
图和电学特性，MOS 结构的形成、能带图和电学特性；需要定性了解的内容包括，非平衡
载流子，简并半导体，准费米能级，金属－半导体接触，半导体异质结的基本概念等。
二、考试的内容及比例
考试内容主要涉及半导体物理专业知识，也包括半导体材料、器件、工艺的一些基本知
识，具体比例如下：
1、半导体物理和材料方面的基础知识，包括重要半导体材料，如 Si、Ge、GaAs 等的晶
体结构、电子状态、能带结构、空穴、有效质量，缺陷类型和杂质类型；一些新型半导体材
料，如 III-V 族化合物半导体材料的基本知识；常见的半导体工艺，如清洗、氧化、扩散、
离子注入、光刻、腐蚀等的基本原理：15－25%
2、半导体杂质和缺陷能级、导电性的基础知识，包括费米能级和载流子的统计分布，
本征半导体的载流子浓度，杂质半导体的载流子浓度，浅能级杂质电离能；载流子的漂移运
动，迁移率和电导率，爱因斯坦关系式，泊松方程和连续性方程：55－65%
3、半导体基础结构和器件知识，包括 PN 结的形成、能带图及其电学特性；MOS 结构
的形成、能带图及其电学特性；金属－半导体接触，整流接触和欧姆接触；半导体异质结构，
光电导效应、太阳能电池、光电探测器、发光二极管等：15－25%
三、试题类型及比例
试题主要类型及大致比例如下：
1、简述题、简答题、名词解释：20－30%
2、论述题、综合分析题：40－60%
3、计算题、证明题：20－30%
四、考试形式及时间
考试形式为闭卷、笔试。试卷满分为 150 分，考试时间为 3 小时。可使用计算器。