2018年华中科技大学3366集成电路原理与设计考博大纲

博士研究生入学考试《集成电路原理与设计》考试大纲
① 半导体集成电路 张廷庆
第一章 集成电路的寄生效应
集成电路的双极型工艺，典型 PN 结隔离工艺，集成电路元件结构和寄生效应；多结晶体管埃
伯斯-莫尔模型，集成电路晶体管有源寄生效应的形成过程，集成电路中的寄生电容和效应。
第二章 双极逻辑集成电路
双极型逻辑集成电路的发展过程，简易 TTL 与非门的逻辑结构，六管单元 TTL 与非门的工作原
理及功耗计算，TTL 电路的温度特性，TTL 门电路的逻辑是如何扩展。
第三章 TTL 中大规模集成电路
TTL 芯片电路的简化逻辑门，单管逻辑门的功能，简化触发器结构，了解 TTL 中大规模集成电
路的实际结构，双极型存储器结构，双极型门阵列结构与原理。
第四章 TTL 电路版图设计
结合集成电路工艺的确定，熟悉集成电路版图设计的一般程序，版图设计的基本尺寸确定，集
成晶体管版图，二极管版图，肖特基势垒二极管版图，集成电阻的版图。
第五章 ECL 和 I2L 电路
ECL 和 I2L 的电路结构，工作原理和特点，如何用这类型的电路实现逻辑运算。
第六章 nMOS 逻辑集成电路
电阻负载 MOS 倒相器，E/E MOS 倒相器，E/D MOS 倒相器，自举负载 MOS 倒相器的结构和原
理；了解这些电路的速度，静态功耗等特点，弄清楚有比电路的定义；什么是静态 MOS 电路。
第七章 CMOS 集成电路
重点是 CMOS 倒相器和 CMOS 传输门的基本结构和工作原理，用这两类结构如何实现各种大规模
逻辑电路，注意这类电路的转换特性和阈值损失原因；结合 MOS 工艺和版图结构，了解 CMOS
电路中的栅锁效应。
第八章 动态和准静态 MOS 电路
理解栅电容的电荷存储效应，这种动态电路的输入阻抗，对信号的作用；动态倒相器和电路单
元的基本结构和原理，各种动态和准静态 MOS 电路单元。
第九章 MOS 集成电路的版图设计
MOS 集成电路的工艺设计和选择，MOS 集成电路版图的设计规则，MOS 集成电路各种单元电路
的版图设计。
第十章 MOS 大规模集成电路
MOS 大规模集成电路的特点，计算机辅助设计的流程，HMOS，MOS 存储器，算术逻辑单元，半
定制逻辑单元的设计实例。
第十一章 模拟集成电路中的特殊元件
了解集成电路芯片的横向 pnp 晶体管，纵向 pnp，超增益晶体管，隐埋齐纳二极管，集成电容
器，薄膜电阻等等器件的结构，工作原理以及应用特点。
第十二章 双极型模拟集成电路中的基本单元
差分放大器，恒流源，有源负载，基准源，模拟开关等等单元的结构，芯片实现和工作原理
第十三章集成运算放大器
集成电路的运算放大器的原理，频率特性和补偿方式，大信号情况下运放的瞬态特性，转移速
率与补偿的优化，uA741 通用放大器的基本结构和工作原理，提高集成运放性能的一些方法，
如何提高输入阻抗，从工艺角度如何减小集成运放的性能漂移。
第十四章 模拟集成电路
电压比较器，D/A 转换器，A/D 转换器等单元的结构，工作原理和芯片实现。
第十五章 模拟集成电路的版图设计
双极型模拟集成电路版图的设计特点，各种器件的图形结构，隔离问题；工艺相容技术，
uA741 运算放大器的版图设计和分析。
② 模拟 CMOS 集成电路设计 拉扎维
第一章 集成电路设计绪论
模拟集成电路的重要性，CMOS 模拟集成电路的特点和设计一般概念，MOS 模拟集成电路与双极
型模拟集成电路的区别，CMOS 模拟集成电路与工艺发展的关系，模拟集成电路设计中器件的
物理效应与模型应用问题。
第二章 MOS 器件物理基础
MOSFET 的结构，MOS 器件的 I/V 特性，阈值电压，导通电阻，器件的工作区域，体效应系数，
沟道长度调制系数，亚阈值问题，器件模型与 SPICE 仿真要求。
第三章 单击放大器
各种负载下的共源级放大器，包括带源极负反馈的共源级问题；源跟随器结构，共栅级结构，
共源共栅的特点，从跨导的分析，与增益的关系，优化动态范围的情况下，如何提高放大器的
增益。
第四章 差动放大器
单端与差动的工作方式，基本差分对的定量分析（叠加法）；共模响应与电路参数对称的关
系；简单差分对和 Cascade 差分对，吉尔伯特单元的结构与特点。
第五章 无源与有源电流镜
基本电流镜，共源共栅电流镜的准确性与电压裕度的优化，有源电流镜,采用有源电流镜负载
的差分放大器。大信号分析，小信号分析，有源电流镜的差分对共模特性。
第六章 放大器的频率特性
密勒效应，极点与节点的关联；共源级，源跟随器，共栅级，共源共栅级，差分对等电路的传
输函数，极点频率，与处理方式。