2018年成都电子科技大学3001半导体物理考博大纲
电子科技大学 2018 年博士研究生入学考试初试自命题科目考试大纲 考试科目 3001 半导体物理 考试形式 笔试(闭卷) 考试时间 180 分钟 考试总分 100 分 一、总体要求 要求考生对半导体物理中的基本概念有深刻的理解,系统掌握半导体物理学的基础理论,并能灵 活应用基础理论和基本概念去分析金属/半导体接触和金属/绝缘体/半导体(MIS)结构中的载流子 分布、能带状况以及两种结构的电学性能,具有较强的分析问题和解决问题的能力。 二、内容 1. 半导体中的电子状态 1)了解半导体的三种常见晶体结构即金刚石型、闪锌矿和纤锌矿型结构; 2)以及两种化合键形式即共价键和离子键在不同结构中的特点; 3)了解电子的共有化运动; 4)理解能带不同形式导带、价带、禁带的形成; 5)导体、半导体、绝缘体的能带与导电性能的差异;掌握本征激发的概念。 6)了解半导体中电子的平均速度和加速度; 7)掌握半导体有效质量的概念、意义和意义; 8)理解本征半导体的导电机构; 9)掌握半导体空穴的概念及其特点; 10)理解典型半导体材料锗、硅、砷化镓和锗硅的能带结构。 2.半导体中的杂质和缺陷能级 1) 掌握锗、硅晶体中的浅能级形成原因,多子和少子的概念; 2) 了解浅能级杂质电离能的计算;了解杂质补偿作用及其产生的原因; 3) 了解锗、硅晶体中深能级杂质的特点和作用; 4) 了解等电子陷阱、等电子络合物以及两性杂质的概念; 5) 了解缺陷(主要是两类点缺陷弗仑克耳缺陷和肖脱基缺陷)、位错(一种线缺陷)施主或 受主能级的形成。 3.热平衡时半导体中载流子的统计分布 1) 掌握状态密度,费米能级的概念; 2) 掌握载流子的费米统计分布和波尔兹曼统计分布; 3) 掌握本征半导体的载流子浓度和费米能级公式推导和计算; 4) 掌握非简并半导体载流子浓度和费米能级公式推导和计算、杂质半导体的载流子浓度以及 费米能级随掺杂浓度以及温度变化的规律; 5) 了解简并半导体及其简并化条件。 4.半导体的导电性 1) 了解载流子的热运动特点; 2) 掌握迁移率、电导率、杂质散射、晶格散射等概念; 3) 重点掌握载流子的漂移运动; 4) 理解载流子的散射理论; 5) 迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系等; 6) 了解强电场效应、多能谷散射。 5.非平衡载流子 1)了解非平衡载流子; 2)理解非平衡载流子的注人与复合; 3)掌握非平衡载流子的寿命; 4)掌握准费米能级; 5)掌握复合机理; 6)了解陷阶效应; 7)掌握载流子的扩散运动及其计算; 8)掌握爱因斯坦关系; 9)解连续性方程。 6.金属和半导体的接触 1)理解功函数的概念; 2)理解肖特基势垒高度; 3)掌握金属和半导体接触的整流理论; 4)理解少数载流子的注人; 5)理解欧姆接触; 6)理解镜像力降低效应; 7)理解镜像力降低效应; 8)理解欧姆接触和隧道效应 7.半导体表面与MIS结构 1)掌握表面电场效应; 2)理解表面态; 3)掌握MIS结构的电容一电压特性; 4)理解硅一二氧化硅系统的性质; 三、题型 1. 简答题 2. 分析说明题 3. 作图题 4. 证明题 5. 计算题 |