2017年北京航空航天大学现代半导体器件物理考博大纲博士研究生入学考试大纲

《半导体器件物理》博士生入学考试大纲
一、复习内容及基本要求
1．半导体中载流子特性：晶体结构，能带与能隙，载流子及热平衡，载流子宏观迁移。
2．p-n 结形成；耗尽层，电流电压特性，结击穿，异质结，传输过程与噪音。
3．双极器件；静态特性，微波特性，异质结双极晶体管。
4．MIS；电流传输过程，器件结构，欧姆接触，势垒高度，理想 MIS 电容。
5．MOS：基本器件特性；期间按比例缩小，短沟道效应，器件基本结构。
6．JFET 原理与特性。
7．光电子器件（LED、太阳能电池）原理以及特性。
8．巨磁阻效应及其器件
9．考试的基本要求
要求考生有扎实的半导体物理，半导体器件，及微电子实验基础理论知识和技术基础。掌握
半导体器件系统的主要组成部分的基本原理，能够综合量子物理、半导体物理、器件物理的
知识分析和解决问题。
二、建议参考
1．施敏编著 《现代半导体器件物理》第 3 版 西安交通大学出版社。
2．韩秀峰著 《自旋电子学导论》上卷 第一章 科学出版社。