资源简介：华南理工大学半导体物理2006年考研真题考研试题    

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华南理工大学
2006 年攻读硕士学位研究生入学考试试卷
（试卷上做答无效，请在答题纸上做答，试后本卷必须与答题纸一同交回）
科目名称：半导体物理
适用专业：微电子学与固体电子学
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一、解释下列概念：（20 分）
1、霍尔效应：2、共有化运动 3、杂质补偿 4、肖特基势垒
5、 非平衡载流子寿命
二、简述硅和砷化镓能带结构的异同。（10 分）
三、简述产生半导体激光的基本条件。（10 分）
四、简述半导体光吸收的主要物理过程，并在能带示意图上定性表示之。（10 分）
五、试述什么是简并、非简并半导体；给出非简并、弱简并及简并半导体的区分标准，
并说明其含义。（15 分）
六、请解释迁移率概念，并说明对于半导体硅而言影响其迁移率的主要因素。（15 分）
七、请定性画出 n-n 型异质结平衡时能带图，并给予简要解释。（15 分）
八、用 n 型 Si 衬底制成 MOS 电容，解释该结构在积累、耗尽、弱反型、强反型下的
电容值变化规律，并画出高频、低频的 C-V 曲线。（15 分）
九、在半导体硅材料中掺入施主杂质浓度 ND = 10
15
/cm
3
，受主杂质浓度 NA = 4×
10
14
/cm
3
；设室温下本征硅材料的电阻率i=2.2×10
5
.cm，假设电子和空穴的迁
移率分别为n = 1350cm
2
/(V.S), p = 500cm
2
/(V.S)，不考虑杂质浓度对迁移率的影
响，求掺杂样品的电导率。（20 分）
十、施主浓度 ND = 1016
/cm3
的 n 型单晶硅片，求室温下功函数是多少？若忽略表面
态的影响，当它同金属 Al、Au、Mo 接触时，分别形成何种接触？并定性画出
该 n 型硅与金属 Al 接触前后的能带示意图。已知硅的电子亲和能 Xs =4.0eV，NC
= 10
19
/cm
3
，设金属的功函数分别为 Wal = 4.05 eV, WAu = 5.20eV, WMo = 4.21 eV。
（20 分）

 

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