资源简介：桂林电子科技大学909材料科学基础BA2013年考研真题考研试题    

        下载流程： 考研真题 点击“考研试卷””下载; 考博真题 点击“考博试卷库” 下载

 

第 1 页 共 3 页
桂林电子科技大学 2013 年研究生统一入学考试试题
（A 卷）
科目代码：909 科目名称：材料科学基础（B）
请注意：答案必须写在答题纸上（写在试题上无效）。
一、名词解释（任选 6 题作答，每题 5 分，共 30 分）
1、晶面间距；2、肖特基缺陷；3、刃型位错；4、非均匀形核；5、柯肯达尔效应；
6、莱氏体；7、桥氧；8、烧结
二、简答题（任选 4 题作答，每题 10 分，共 40 分）
1、证明理想密排六方结构晶体的轴比 c/a 为 1.633。
2、什么是细晶强化？简述细晶强化的机理。
3、什么是置换固溶体？影响置换固溶体溶解度的因素有哪些？形成无限固溶体的必要条件是
什么？
4、简述 F-R（弗兰克-瑞德）位错增殖机制，并予以图示。
5、NaCl 溶入 CaCl2 中形成空位型固溶体，请写出其缺陷反应式。
6、试描述固相烧结过程中三个阶段的特点？
三、分析题（任选 2 题作答，每题 15 分，共 30 分）
1、在同一晶胞中画出立方晶系中的 )321( 晶面以及 ]123[ 晶向。
2、分析位错反应 ]111[
3
]211[
6
]110[
2
aaa
 能否发生？（要求写出判断依据）。
3、根据 Al2O3-SiO2 系统相图（下图）说明，为了保持较高的耐火度，在生产硅砖时应注意什
么？

 

说明：本站提供的《桂林电子科技大学909材料科学基础BA2013年考研真题考研试题 》源自权威渠道，为历年考过（被使用过）的真题试卷，除标注有“回忆版”字样的试题外，其余均为原版扫描，权威可靠；回忆版试题由当年参加全国硕士、博士研究生入学考试考生回忆，内容完整。