资源简介：2015年桂林电子科技大学206电磁场与微波技术考研复试真题考研复试试题    

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桂林电子科技大学 2015 年硕士研究生入学考试复试试卷
考试科目代码：206(A 卷) 考试科目名称：电磁场与微波技术
请注意：答案必须写在答题纸上（写在试卷上无效）。
一、 填空题（22 分，每空 1 分）
1. 理想介质中，均匀平面波波阻抗为（1）(填“实”或者“虚”) 数，表
明电场和磁场（2）相位（填“同”或者“反”）。
2. 请补全复数形式的麦克斯韦方程： H  

（3） ， E  

（4） ， H  

（5） ， D  

（6） 。
3. 如下图所示：上、下半空间分布为媒质 1 和媒质 2，介电系数分别为 1

和 2
 ，仅在媒质 1 中闭曲面 S 包围的区域 0 内有电荷分布，电荷密度为
 。则区域 0、区域 1 和区域 2 中的电位所满足的方程分别是（7） 、
（8）和（9） 。
4. 设自由空间均匀平面波的电场复数表示形式为  12
jkz
x y
E e e j e

 
  
，则
其实数表示形式为 (10) ,波传播方向为（11） （填“+z”或者“-z”），
该平面波为（12） （填“左”或者“右”）旋（13）极化波。
5. 在法向单位矢量为 n
e 的理想导体表面处，电场强度 E 与磁场强度 H 所
满足的边界条件分别为 (14) 和 (15) 。
6. 当无耗线终端短路时，在负载处，电压为（16） （填“最大”或“最
小”），传输线上阻抗呈 （17） 特性。
7. 双重简并是指 （18） 。
8. 传输线上的分布参数阻抗随（19） 而变，分布于沿线各点，具有 （20）

 

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