资源简介：成都电子科技大学2005年中职高职半导体物理考题答案（工硕）V2考研真题考研试题    

        下载流程： 考研真题 点击“考研试卷””下载; 考博真题 点击“考博试卷库” 下载

 

半导体物理试题答案 共 2 页， 第 1 页
电子科技大学
2006 年攻读工程硕士专业学位研究生入学试题
考试科目：半导体物理
（答案）
一、 名词解释（每小题 5 分,共 20 分）
1、本征激发：半导体中，共价键上的电子脱离共价键，从价带跃迁到导带成为准自由电子，
同时在价带形成空穴的过程，称为本征激发。
2、杂质补偿：半导体中施主杂质和受主杂质之间互相抵消的现象。
3、强反型：MIS 结构的半导体表面少子浓度大于半导体体内多子浓度时的状态。
4、霍耳效应：当沿某方向 x 通有均匀电流 I，与电流垂直方向 z 加有均匀磁感应强度 B 的
磁场时，载流子受到洛仑兹力的作用，在 y 方向上发生载流子的积累，则在 y 方向上产生电
势差，这种现象叫霍尔效应。
二、 简答题（每小题 10 分，共 20 分）
1、答：随着温度的升高，半导体内本征激发增强，本征载流子浓度增加，当温度高到本征
载流子浓度接近或大于电离杂质浓度时，器件达到极限工作温度。禁带宽度越大的半导体，
其极限工作温度就越高，所以 Si 器件极限工作温度比 Ge 器件高。
2、MIS 结构的半导体表面发生强反型时，金属极板上所加的电压称为开启(阈值)电压。可
以通过减小绝缘层厚度和降低半导体掺杂浓度的方法降低其开启(阈值)电压。
三、 作图题（每小题 10 分，共 20 分）
1、
0 VG
C (电容)
高频
低频

 

说明：本站提供的《成都电子科技大学2005年中职高职半导体物理考题答案（工硕）V2考研真题考研试题 》源自权威渠道，为历年考过（被使用过）的真题试卷，除标注有“回忆版”字样的试题外，其余均为原版扫描，权威可靠；回忆版试题由当年参加全国硕士、博士研究生入学考试考生回忆，内容完整。