资源简介：成都电子科技大学2003年半导体物理考研试题考研真题    

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半导体试题 第 1 页 共 2 页
电子科技大学
2003 年攻读工程硕士专业学位研究生入学试题
考试科目：半导体物理
一、简答题（每小题 8 分）
1、 什么叫杂质的补偿？举例说明补偿现象的用处与危害？
2、 什么叫霍尔效应，如何根据霍尔系数判断材料导电类型及计算载流子浓度。
（假设只有一种载流子参与导电，且杂质全电离，载流子运动速度为 v 。）
3、 试比较间接复合效应与陷阱效应有何异同？
4、 什么是欧姆接触？形成欧姆接触的方法有几种？试根据能带图分别加以分析。
5、 请简要分析右图中中等掺杂浓度的 Si 的电阻率随温度的变化关系的原因。
二、 （15 分）证明题:
对于 p 型半导体, 当半导体处于非平衡态时 p
FFF
n
F
EEEE  , 并在同一能带图上分
别画出
n
F
E 、
p
F
E 和 EF.其中
n
F
E ，
p
F
E 分别为电子和空穴准费米能级。
三、计算题
1、 （18 分） 试计算 300K 和 500K 时，同时含施主浓度 ND=1×10
15
cm
-3
，受主 NA=3×
10
8
cm
-3
的 Si 中的电子和空穴浓度及电导率。（已知 Si 在 300K 和 500K 时的本征载流
子浓度分别为
313
104.2

 cm ，
316
100.2

 cm ）
（可能会用到的数值：
,/420,/10501031,300
22315
sVcmsVcmcmK pn


时，
,/150,/4201031,500
22315
sVcmsVcmcmK pn


时， ）
2、（15 分）掺杂浓度为 ND=10
16
cm
-3
的 Si，光照产生的非平衡载流子线性分布,在 1μ m
A
B
C

T

 

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