资源简介：成都电子科技大学2003年半导体物理答案考研试题考研真题    

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电子科技大学
2003 年攻读工程硕士专业学位研究生入学试题答案
考试科目：半导体物理
一、简答题（每小题 8 分）
1． 半导体内同时掺有两种类型的杂质，两种类型的杂质间相互抵消的作用叫做
杂质补偿。利用它可以改变半导体某区域的导电类型。但如果造成高度补偿，
材料易于被误认为高纯半导体，实际掺杂很高，器件性能差。
2． 当沿某方向 x 通有均匀电流 I， 与电流垂直方向 z 加有均匀磁感应强度的磁
场时，则在 y 方向上产生电势差。这种想象叫霍尔效应。其相应的电场称为
霍尔电场 Ey。，在弱磁场下，Ey 同 J（电流密度）和 B 成正比
Ey=RHJB
式中 RH 为比例系数，称为霍尔系数。
对空穴浓度为 p 的 P 型样品，
pq
R H
1

对电子浓度为 n 的 N 型样品，
nq
RH
1

由霍尔系数的符号可以判别半导体的类型,测出霍尔系数可求得载流子浓度
3.
4. 欧姆接触是指其电流-电压特性满足欧姆定律的金属与半导体接触。形成欧姆
接触的常用方法有两种，其一是金属与重掺杂 n 型半导体形成能产生隧道效应的
薄势垒层，其二是金/半接触构成反阻挡层,即形成势阱。其能带图分别如下：
丙 丁
乙
Ec
Ev
Et
甲

 

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