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发布时间:2018-9-1 6:21:19
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资源简介:成都电子科技大学半导体物理2010年考博真题考博试题博士研究生入学考试试题
电子科大 2010 考博《半导体物理》真题 一、简答题(30 分) 1.从能带理论出发,简述宽禁带半导体和窄禁带半导体的一般特点。 2. 3. 二、计算题 4.掺杂铟,费米能级位置在价带上面?eV,铟的能级位置在价带上面?eV,求: (1)铟的电离浓度。 (2)多子浓度。 (3)少子浓度。 5.求准费米能级相对于原费米能级的位置。
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