资源简介：2009年武汉纺织大学816电子设计基础考研真题考研试题硕士研究生入学考试试题    

        下载流程： 考研真题 点击“考研试卷””下载; 考博真题 点击“考博试卷库” 下载

 

武汉科技学院
2009 年招收硕士学位研究生试卷
科目代码 816 科目名称 电子技术基础
考试时间 2009 年 1 月 11 日下午 报考专业
1、试题内容不得超过画线范围，试题必须打印，图表清晰，标注准确。
2、试题之间不留空格。
3、答案请写在答题纸上，在此试卷上答题无效。
题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 十一 得分
得分 10 24 12 14 18 18 12 12 12 18
本试卷总分 150 分，考试时间 3 小时。
模拟部分（共 60 分）
一、选择题（单选）（只填字母，不写汉字。每空 1 分，共 10 分）
1、 当 PN 结由.截止变为导通时，其空间电荷区__ _，（A.变宽, B.变窄, C.不变）。
2、 当温度降低时,晶体管的 ICBO 将_______(A 不变 B.增大 C.减小 )
3、 用晶体管放大电路构成的电压跟随器是______ 放大电路。
（A、 共射；B、共基；C、共集；）
4、 集成运放工作在线性区时，电路的外部结构特征为_ _ 。
（A 开环 B.正反馈 C.负反馈)
5、 放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是_ _ 。
(A.级间耦合电容和旁路电容的存在 B.放大电路的静态工作点不合适
C.半导体管极间结电容和分布电容的存在 D.晶体管的非线性特性)
6、 电压并联负反馈时的输出电阻比反馈前______。（A. 减小, B.不变, C.増大）
7、 欲从传感器获 得更 大 的电 流 ，使放大电路输出能获得稳定的输出电流。该
放大电路宜采用______负反馈放大电路。
（A．电压串联 B．电压并联 C． 电流 串 联 D． 电 流并 联 ）
8、 分析功率放大电路的动态性能时，作功放的晶体管宜采用 来分析。
（A．晶体管的混合∏模型；B．晶体管的 h 参数模型 C．晶体管的图解 法 ）
共 页 第 页
共 6 页 第 1 页

 

说明：本站提供的《2009年武汉纺织大学816电子设计基础考研真题考研试题硕士研究生入学考试试题 》源自权威渠道，为历年考过（被使用过）的真题试卷，除标注有“回忆版”字样的试题外，其余均为原版扫描，权威可靠；回忆版试题由当年参加全国硕士、博士研究生入学考试考生回忆，内容完整。