资源简介：2005年武汉纺织大学电子技术（模拟和数字）2考研真题考研试题硕士研究生入学考试试题    

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武 汉 科 技 学 院
2005 年招收硕士学位研究生试卷
试卷代号 试卷名称 电子技术（模拟和数字）
考试时间 报考专业
1、试题内容不得超过画线范围，试题必须打印，图表清晰，标注准确。
2、试题之间不能留有答卷的间隔，所有答案一律写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上无效。
题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 十一 得分
得分
模拟部分（共 80 分）
一、 选择填空题（每空１分，共１０分）
（１）、当温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将 ，共射输出特性
曲线将 （ａ不动、ｂ上移、ｃ下移、ｄ左移、ｅ右移）。
（２）、当晶体管工作在放大区时，其发射结处于 ，集电结处于
（ａ零偏置、ｂ正向偏置、ｃ反向偏置）。
（３）、场效应管是通过改变 （ａ栅极电流、ｂ栅源电压、ｃ漏极电
压）来控制漏极电流的，可等效为一个 （ａ电流、ｂ电压）控制
的 （ａ电流源、ｂ电压源）。
（４）、电流串联负反馈电路的输入电阻比反馈前 ，输出电阻比反馈
前 （ａ不改变、ｂ增大、ｃ减小）。
（５）、电压比较器中的集成运算放大器，在电路结构上具有 （ａ负反
馈、ｂ开环或正反馈）形式。

 

说明：本站提供的《2005年武汉纺织大学电子技术（模拟和数字）2考研真题考研试题硕士研究生入学考试试题 》源自权威渠道，为历年考过（被使用过）的真题试卷，除标注有“回忆版”字样的试题外，其余均为原版扫描，权威可靠；回忆版试题由当年参加全国硕士、博士研究生入学考试考生回忆，内容完整。