资源简介：2010年浙江理工大学928半导体物理考研真题硕士研究生入学考试试题    

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浙江理工大学
二 O 一 O 年硕士学位研究生招生入学考试试题
考试科目：半导体物理 A 代码：928
（*请考生在答题纸上答题，在此试题纸上答题无效）
一、 不定项选择题 （30 分，3 分*10）
1. 具有闪锌矿结构的半导体材料为（ ）
A、Si B、Ge C、GaAs D、ZnO
2. 高纯度半导体就是（ ）
A、对光透明的宽禁带半导体 B、电阻率很高的补偿半导体
C、温度很低的半导体 D、杂质、缺陷浓度很低的半导体
3. 那些跃迁可能导致半导体发光（ ）
A、本征跃迁 B、带-杂质能级间辐射 C、施主-受主对 D、激
子复合
4. 利用吸收光谱可以获得半导体材料的那些信息（ ）
A、跃迁机制 B、禁带宽度 C、声子能量 D、杂质能级
5. PP+
和 NN+
结为浅结，它们常用于（ ）
A、小信号整流 B、欧姆接触 C、可变电容 D、稳压二极管
6. 测知某半导体的霍尔系数随温度升高由正值变为零然后变为负值，则
该半导体可能是（ ）
A、纯净半导体 B、p 型半导体 C、n 型半导体 D、以上三种
都可能
7. 光电导指（ ）
A、光在介质传播时的电导 B、光在半导体材料中的传播速度
C、光照引起的电导率变化 D、光照产生激子引起的电导率增加
8. 非平衡载流子就是（ ）
A、处于导带还未与价带空穴复合的电子 B、不稳定的电子空穴对
C、不停运动着的载流子 D、偏离热平衡状态的载流子
9. pn 结击穿指（ ）
A、反向电压随电流增加迅速增加 B、正向电流随反向电压增加迅速
增加
C、正向电压随电流增加迅速增加 D、反向电流随反向电压增加迅速
增加

 

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