题号：974

《集成电路设计》

考试大纲

一、 考试内容

1．MOS器件物理基础，包括MOS的I/V特性，二级效应。

2．单级放大器，包括共源级，源跟随器，共栅极，共源共栅极。

3．差动放大器，包括基本差动对的工作原理，差动电压增益，共模电压增益。

4．电流镜，包括基本电流镜，共源共栅电流镜，有源电流镜。

5．运算放大器，包括一级运放，两级运放。

6．静态CMOS反相器基本原理，静态特性，动态特性。

7．CMOS组合逻辑门设计，包括静态CMOS组合逻辑，动态CMOS组合逻辑。

8．时序逻辑电路设计，包括静态锁存器和寄存器，动态锁存器和寄存器。

二、 参考书目

[1] 模拟CMOS集成电路设计，毕查德˙拉扎维著，陈贵灿等译，西安交通大学出版社，2003。

[2] 数字集成电路——电路、系统与设计（第二版），Jan M. Rabaey等著，周润德等译，电子工业出版社，2005。