2011年浙江理工大学《928半导体物理》考研大纲

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考研试卷库
2011年浙江理工大学《928半导体物理》考研大纲

   浙 江 理 工 大 学
  2011年硕士学位研究生招生考试业务课考试大纲
    考试科目:半导体物理  代码: 928          
  一、主要参考书:《半导体物理学》,刘恩科等编著(第6版),电子工业出版社
  二、考试大纲:
  第一章 半导体中的电子状态
  半导体的晶格结构和结合性质,半导体的电子状态和能带,半导体中的电子运动,有效质量的概念,本征半导体的导电机构,空穴的概念,回旋共振,硅、锗的能带结构。
  第二章 半导体中杂质和缺陷能级
  硅、锗晶体及III-V族化合物中的杂质能级,缺陷、位错能级。
  第三章 半导体中载流子的统计分布
  状态密度,费米能级和载流子的统计分布,本征半导体载流子浓度,杂质半导体载流子浓度,一般情况下的载流子统计分布,简并半导体。
  第四章 半导体的导电性
  载流子的漂移运动和迁移率,载流子散射,迁移率与杂质浓度和温度的关系,波尔兹曼方程、电导率的统计理论,强电场下的效应,多能谷散射。
  第五章 非平衡载流子
  非平衡载流子注入与复合,非平衡载流子的寿命,准费米能级,复合理论,陷阱效应,载流子的扩散运动与漂移运动,爱恩斯坦关系式,连续性方程。
  第六章 pn结
  pn结的能带图,pn结电流电压特性,pn结电容,pn结击穿,pn结隧道效应。
  第七章 金属和半导体的接触,半导体表面与MIS结构
  金属和半导体的接触及其能级图,金属半导体接触整流理论,少数载流子的注入和欧姆接触。表面态,表面电场效应,MIS结构的电容-电压特性,硅-二氧化硅系统的性质,表面电导及迁移率,表面电场对pn结特性的影响。
  第八章 半导体的光电、热电、磁电和压阻效应,半导体异质结构
  半导体的光吸收、光导电、光生伏特效应,半导体发光、激光。半导体热传导,热导率,温差电效应,温差电动势率,塞贝克效应,温差电偶,帕尔贴效应,汤姆逊效应,霍尔效应,磁阻效应,光磁电效应,压阻效应,异质结。
  三、题型比例:
  名词解释     30%左右
  选 择 题    20%左右
  问答和计算题   50%左右
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