课程名称：微电子学与固体电子学综合
本复试考试由两部分组成，请考生根据自己的具体情况任选一部分进行答题。
第一部分： 半导体集成电路复试大纲（参加微电子学复试的考生参考）
一、 考试的总体要求
"半导体集成电路"是微电子技术专业的主干课程。本大纲包括"微电子器件基础（晶体管原理）"、"半导体集成电路"。目的是考察考生对基本理论、基本知识、基本技能及分析问题和解决问题的能力。
二、 考试内容及比例
（一）微电子器件基础（晶体管原理）（40%）
1．PN结
（1）PN接触电势差VBJ形成；
（2）理想和实际二极管电流电压方程，非平衡清况电流随电压变化规律。
（3）PN结击穿机理。
2．双极晶体管
（1）晶体管中的工作原理
（2）晶体管电流增益
（3）非理想效应
（4）大信号开关
3．金属－氧化物－半导体场效应晶体管基础
（1）双端MOS结构
（2）MOSFET基本工作原理
（3）信号限制特性
4．金属－氧化物－半导体场效应晶体管概念深入
（1）非理想效应
（2）阈值电压的修正
（3）附加电学效应
（二）半导体集成电路（60%）
1．集成电路中的晶体管及其寄生效应
（1）集成双极晶体管的有源寄生效应
（2）集成电路中的PNP管
（3）肖特基势垒二极管和肖特基箝位晶体管
2．晶体管－晶体管逻辑（TTL）电路
（1）TTL与非门，
（2）STTL 电路
3．发射极耦合逻辑（ECL）电路工作原理
4．MOS倒向器及其基本逻辑单元
E/D反相器、CMOS反相器、动态反相器、 NMOS逻辑结构、传输门逻辑
5．导线模型
6．CMOS组合逻辑门的设计
静态CMOS设计、动态CMOS设计
7．时序逻辑电路设计
静态锁存器和寄存器、动态锁存器和寄存器、流水线、非双稳时序电路
8．数字电路中的时序问题
数字系统的时序分类、同步设计、自定时电路设计
9．设计运算功能块
数字处理器结构中的数据通路、加法器、乘法
三、试卷题型及比例
1、简答题：30%
2． 论述题：45%
3． 计算、综合题：20%
4． 设计题：5%
四、考试形式及时间
考试形式为笔试，考试时间1．5小时，满分65分。
第二部分：薄膜电子技术复试大纲（参加固体电子学专业复试的考生参考）
一、考试的总体要求
本复试大纲包括"薄膜电子技术"、"功能材料理论基础"两门课程内容，是微电子学与固体电子学专业的主干课程。本课程的考试目的是考察学生对基本理论、基本知识、基本技能的掌握情况，考察学生分析问题解决问题的能力。
二、考试内容及比例
（一） 薄膜电子技术（70%）
1．薄膜的制备技术：
1）真空技术基础：
真空的获得，真空度的表征和检测，
2）物理气相沉积镀膜技术：
真空蒸发镀膜原理，蒸发特性及参数，合金及化合物蒸发。
溅射镀膜类型及原理、特点，溅射特性参数。
离子镀膜原理、特点。
3）化学气相沉积镀膜技术：
不同类型化学气相沉积镀膜方法原理及特点
（LPCVD，PECVD，MOCVD）
4）溶液镀膜法：
化学镀，溶胶－凝胶法，LB膜的制备原理。
2．薄膜形成理论：
1）薄膜的形成过程，薄膜的形成与生长形式。
2）薄膜的结构与缺陷：
薄膜的组织结构、晶体结构、表面结构，薄膜的缺陷及产生机理。
3．薄膜结构与化学组分检测方法：
X射线衍射法，扫描电子显微镜法，俄歇电子能谱法，
X射线光电子能谱法
（二）功能材料理论基础（30%）
1． 相律与相平衡的基本概念
2． 二元系统的杠杆规则和基本类型
（1）具有低共熔点的系统
（2）形成连续固溶体的系统
（3）形成不连续固溶体的系统
3． 固溶体
（1）置换型固溶体形成连续固熔体的条件
（2）填隙型固溶体
（3）固溶体的性质和研究方法
4． 烧结的理论基础
（1）烧结过程
（2）烧结的推动力
（3）影响烧结的因素
三、试卷题型及比例
1、 选择，填空题：10%
2、 简答题：30%
3． 论述题：45%
4． 综合题：15%
四、考试形式及时间
考试形式为笔试，考试时间1．5小时，满分65分。
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