课程编号:813
初试考试科目名称:半导体物理或电介质物理
本考试课程由两部分组成,请考生根据自己的具体情况任选一部分进行答题。
第一部分: 半导体物理考试大纲(参加半导体物理考试的考生参考):
一、考试的总体要求
本课程为本专业主干专业基础课,要求考生掌握半导体物理的基本概念、p-n结、MOS结构、异质结、各种半导体效应(光、磁、热、压阻等)基本原理和应用。
二、考试的内容及比例:
(一) 考试内容要点:
第一部分:(70%)
1、 半导体能带结构、半导体有效质量、空穴、杂质能级;
2、 热平衡状态下半导体载流子的统计分布,本征半导体和杂质半 导体的载流子浓度,简并半导体和重掺杂效应;
3、 半导体的导电性:载流子的漂移运动、迁移率、散射、强电场效应、热载流子的概念,半导体电阻率与温度、杂质浓度的关系,体内负微分电导;
4、 非平衡载流子:非平衡载流子的产生、复合、寿命、扩散长度、准费米能级,爱因斯坦关系,一维稳定扩散,光激发载流子衰减;
5、p-n结、MOS结构:平衡与非平衡p-n结特点及其能带图,pn结理想和非理想I-V特性,p-n结电容概念与击穿机制,p-n结隧道效应、肖特基势垒二极管;
6、MOS结构表面电场效应,理想与实际MOS结构C-V特性, MOS系统的性质(固定电荷、可动离子、界面态对C-V特性的影响),表面电场对p-n结特性的影响;
第二部分:(30%)
7、 半导体异质结:异质结概念及理想突变反型异质结能带图,异
质p-n结注入特性(高注入比与超注入概念),半导体应变异质结概念;
8、半导体光学性质:半导体光吸收,半导体光电探测器, 半导体太阳电池,半导体发光概念与应用,半导体激光与应用;
9、 半导体霍尔效应、半导体压阻效应、半导体热电效应及其应用,
非晶态半导体概念;
(二) 比例:
考试内容前6个问题占70%,后3个问题占30%,计算与推导题基本覆盖在2至6个问题中。
三、试卷题型及比例
1、 概念与问答题:40%;2、论述题:30%;3、计算与推导题:20%;
4、实验与综合题:10%。
四、考试形式及时间
考试形式均为笔试。考试时间为三小时(满分150)。
第二部分:电介质物理大纲(参加电解质物理考试的考生参考):
一、考试的总体要求
本课程要求考生重点掌握电介质物理的基本原理与概念,并能运用这些基本概念分析和解释有关的实际问题。
二、考试的内容及比例
考试具体范围如下:
1. 恒定电场中电介质的极化
(1)介电常数和介质极化;
(2)有效电场;
(3)克-莫方程及其应用;
(4)电子位移极化与离子位移极化。
2. 恒定电场中电介质的电导:
(1) 气体介质的电导;
(2) 液体介质的电导;
(3) 固体介质的电导;
(4) 固体介质的表面电导;
(5) 直流电场下介质的绝缘电阻与能量损耗。
3. 交变电场中电介质的损耗
(1)复介电常数和复折射率;
(2)介质损耗;
(3)弛豫现象;
(4)德拜方程;
(5)介质损耗与温度的关系。
三、试卷类型及比例
1. 选择题或填空题:30%
2. 辨析题或简答题:30%
3. 计算题或分析题:20%
4. 综合题:20%
四、考试形式及时间
考试形式均为笔试。考试时间为3小时(满分150分)。