基本内容: （300字以内）

1. p-n结的静电特性（pn结势垒区电荷分布、电场分布和电势分布，pn结的势垒高度和势垒宽度）pn 结正偏和反偏时少子的分布和电流电压特性，pn结的瞬态响应特性，二极管的大电流效应、击穿效应和电容效应。

2．金属和半导体接触形成欧姆接触和整流接触的条件和物理原因，会计算肖特基势垒高度，掌握肖特基二极管的基本结构、静电特性和I-V特性，了解肖特基二极管的交流响应和瞬态响应特性

3．三极管的基本工作原理；发射区的发射效率、基区传输系数和三极管的放大系数；三极管的四种不同偏置模式下各区少子的分布，三极管的基区宽度调制效应和电流集边效应

4理想MOS电容器和MOS场效应管器件的基本结构和工作原理，能用能带图、电荷块图、表面势描述MOS器件的积累、耗尽、反型；MOS电容的C-V特性和MOSFET的静电特性和I-V特性；理解阈值电压、夹断电压、沟道电导、互导、耗尽、深耗尽、完全深耗尽等基本概念。

.5掌握和MESFET的基本结构和工作原理，JFET和MOSFET的基本结构和工作原理的区别

 

题型要求及分数比例：（满分150分）

 

1． 基本概念题（30分）

2． 填空和判断题（20分）

3． 计算题（60分）

4． 综合分析题（20分）

5． 画图题（20分）

考生携带特殊工具：计算器，简单作图工具（三角尺、直尺、铅笔）

参考书目（包括作者、书目、出版社、出版时间）：

1．Robert.F Pierret著，黄如等译，半导体器件基础，电子工业出版社，2004。

2．孟庆巨、刘海波、孟庆辉，半导体器件物理，科学出版社，2005。

3．Donald A. Neamen著，赵毅强等译，半导体物理与器件，电子工业出版社，2005。

 

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