基本内容: （300字以内）

1. 半导体的电子状态: 半导体的晶格结构和能带结构，导带，价带，禁带宽度，有效质量、空穴。计算半导体的禁带宽度，电子和空穴的有效质量和准动量。

2．半导体中的杂质和缺陷能级：能用共价键模型和能带模型解释施主杂质和施主杂质的电离过程，受主杂质和受主杂质的电离过程。杂质能级和电离能。

3．半导体中的载流子的统计分布 ：状态密度，费米能级，费米分布函数，计算不同温度和不同掺杂浓度下，半导体中的电子和空穴浓度及费米能级。

4．半导体的导电性：漂移运动和漂移电流，迁移率，散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，电阻率与杂质浓度和温度关系

5．载流子的注入与复合：非平衡载流子的产生和复合过程及其复合规律，非平衡少子的寿命，准费米能级、载流子的扩散运动和扩散电流，爱因斯坦关系，用连续性方程求解少子的运动和分布规律。

6半导体的霍耳效应。

 

题型要求及分数比例：（博士生满分100分，硕士生满分150分）

 

1．基本概念题（30分）

2．填空和判断题（20分）

3．计算题（60分）

4．综合分析题（20分）

5．画图题（20分）（用图形形象表达半导体物理的基本概念和基本物理过程）

 

参考书目（包括作者、书目、出版社、出版时间）：

 

刘恩科等，半导体物理，电子工业出版社，2003。