资源简介：2012年武汉纺织大学816电子技术基础（A卷参考答案）考研真题答案考研试题答案硕士研究生入学    

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武汉纺织大学 2012 年招收硕士学位研究生
试卷参考答案
科目代码 816 科目名称 电子技术基础
考试时间 2012 年 1 月 8 日下午 报考专业
一、 单项选择题（每小题 2 分，共 40 分。每小题的备选答案中只有一个最
符合题意）。
1. 当晶体管的温度升高时, 晶体管的 ICEO 将（ c ）。
a.、基本不变 b、减小 c、 增大 d、随机不定
2. 如图(1-1)所示为一种门电路的两个输入 A、B 和输出 Y 的波形图,这个门电
路是（ d ）。
a.、与门 b、或门 c、异或门 d、同或门
3. 在晶体管放大电路中,测得一个晶体管的三个电极的电位分别为：5.3V，
2.2V，和 6.0V；则该晶体管的类型为（ a ）。
a、PNP 型硅管 b、PNP 型锗管 c、NPN 型锗管 d、NPN 型硅管
4. 场效应管是通过改变（ b ）来控制漏极电流的。
a、栅极电流 b、栅源电压 c、漏源电压 d、栅漏电压
5、单管共发射极放大电路的电压放大倍数（ b ）。
a、Au=1 b、Au＜0 c、Au＞1 d、0＜Au＜1
6、阻容耦合放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（ c ）。
a、耦合电容和旁路电容的存在 b、放大电路的静态工作点不合适
c、半导体管极间电容和分布电容的存在 d、半导体管的非线性特性
7、在放大电路设计中，欲从 信 号源 获 得更 大 的 电流 ， 并稳 定 输出 电 压，
应在放大电路中引入（ b ）。

 

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