|
资源大小：0.1-10.0 MB
资源类型：rar
发布时间：2018-9-1 6:33:21
资源评分：★★★
资源简介：2012年武汉纺织大学816电子技术基础（A卷）考研真题考研试题硕士研究生入学考试试题
武汉纺织大学
2012 年招收硕士学位研究生试卷
科目代码 816 科目名称 电子技术基础
考试时间 2012 年 1 月 8 日下午 报考专业
1、试题内容不得超过画线范围，试题必须打印，图表清晰，标注准确。
2、试题之间不留空格。
3、答案请写在答题纸上，在此试卷上答题无效。
题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 十一 得分
得分
本试卷总分 150 分，考试时间 3 小时。
一、 单项选择题（每小题 2 分，共 40 分。每小题的备选答案中只有一个最符合
题意）。
1. 当晶体管的温度升高时, 晶体管的 ICEO 将（ ）。
a.、基本不变 b、减小 c、 增大 d、随机不定
2. 如图(1-1)所示为一种门电路的两个输入 A、B 和输出 Y 的波形图,这个门电路是
（ ）。
a.、与门 b、或门 c、异或门 d、同或门
3. 在晶体管放大电路中,测得一个晶体管的三个电极的电位分别为：5.3V，2.2V，
和 6.0V；则该晶体管的类型为（ ）。
a、PNP 型硅管 b、PNP 型锗管 c、NPN 型锗管 d、NPN 型硅管
4. 场效应管是通过改变（ ）来控制漏极电流的。
a、栅极电流 b、栅源电压 c、漏源电压 d、栅漏电压
共 页 第 页共 页；第 1 页
它是全国研究生入学考试考过的真题试卷，属已解密信息，对于报考相关专业考生来说，统考专业课（业务课）科目考研真题对于专业课的复习是非常重要的，因为通过研究真题除了能了解到什么知识点最重要，考哪些题型之外还能给我们反映出老师出题的难度如何，考试考点及重点范围有哪些，每个知识点的历年出题频率，每个章节的分值比重，各个章节的出题比重，每年都要反复考的知识点等等。考试真题的重要性是任何的习题资料都高，比起网上流行的所谓“复习题笔记讲义”（少数除外，大部分都是以同一资料冠以不同学校名称冒充的资料），真题真实性高、渠道权威、试题原版扫描保证清晰。在考博信息网的考试资料体系中，也是把专业课真题作为最为核心、最为重要的资料提供给大家的。
|
您现在的位置： 
