本学科是我校1958年组建的无线电元件与材料教研室和半导体教研室的基础上发展起来的。1984年国务院学位委员会特批“电子材料与元件”为该学科首批唯一博士点，铫熹教授为该学科首位博士生导师；1986年批准“半导体物理与器件”为该学科首批三个工学博士点之一，罗晋升教授为该学科首批博士生导师，1986年首批试点批准“电子材料与元件”为全国唯一国家级重点学科点，1990年以电子材料与元件为基础批准为“电子学与通信”博士后流动科研流动站，1997年按照新的专业目录原“电子材料与元件”和“电子学与通信”合并为“微电子学与固体电子学”二级学科点，1998年获准“电子科学与技术”一级学科博士学位授予权。本学科点现有“精细功能电子材料与器件国家专业实验室”，1992年升起发向国内外开放；和“电子陶瓷与器件教育部重点实验室”，2000年超接收国内外访问学者。1999年被教育部批准设立“长江学者”特聘教授岗位。世界银行贷款44万美元，“211工程”重点学科建设项目和行动计划项目共投入940万元。

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　　现有中科院院士1人，教授13人，其博导10人，副教授18人，有博士学位15人，形成了有国际影响和结构生理的高水平学术梯队。招收博士生16届，培养博士生100余人，出站博士后5人。承担科研课题百多项，国际项目五项，获得研究经费2000多万元，发表论文1300余篇（SCI收录230篇、EI收录350篇），出版教材和专著20余部，获国家科技进步三等奖一项，国家发明四等奖一项，全国科技大会奖一项，国家“八五”科技攻关重大科技成果奖两项，省部级科技奖25项，国家发明专利25项，国外专利4项，举办国际学术会议五个。1996年以来承担科研课题50多项，国际合作项目五项，发表论文800余篇（SCI收录200篇，EI收录300篇），出版教材和专著5部。获国家科技进步三等奖一项，国家“八五”科技攻关重大科技成果奖两项，省部级科技奖15项，发明专利20项，国外专利3项，不少科研成果已产生巨大经济效益，如高压铝箔腐蚀项目产生了十多亿元的经济效益。目前，承担的主要研究课题有国家自然科学基金重点项目1项，面上项目3项，863新材料领域项目1项，军品配套项目1项，教育部跨世纪优秀人才培养计划两项，国际项目1项和省部级横向项目15项。国外学者讲学访问30多次，出国讲学和国际会议的特邀报告及一般报告30多人次，国外学术刊物编委或顾问5人次，出国讲学和国际会议的特邀报告及一般报告30多人次，国外学术刊物编委或顾问5人次，国际学术组织主席1人，国内学术刊物主纺或编委6人次。

　　科研条件方面，本学科现有仪器设备固定资产近2000万元，具备完整的材料制备、性能测试、结构分析、IC设计和专用软件等国内一流，国际上先进的实验条件。

　　教学方面，本学科担任全国电子材料与元件专业教学指导委员会主任和秘书，担任全国微电子技术专业教学指导委员会副主任，全国半导体物理与器件专业教材编审组组长和秘书。出版教材21部，获国家优秀教材稗奖1项，国家优秀教学成果二等奖1项，省部级优秀教材奖项，省级教学成果特等奖1项，一等奖1项，二等奖1项。

　　本学科现有三个主要研究方向：1.电子材料与元器件；2.大规模集成电路设计及微电子技术；3.真空微电子学与纳米电子器件。这些研究方向具有三大特色：（1）符合当前国家对电子信息和新材料领域优先发展的需求；（2）在西部地区具有明显的区域优势；（3）电子材料与元件是原唯一国家重点学科。电子陶瓷、铁电薄膜、纳米复合功能材料、电介质理论、高压铝箔腐蚀等研究工作处于国际先进水平，VLSI工艺检测、碳纳米管场发射显示器件处于国内领先水平，新型高速器件与功率器件及集成技术研究、SOI器件基础研究处于国内先进水平。但由于处于经济不发达地区，吸引人才处于竞争的不利地位。

　　今后五年要努力使电子陶瓷等方面达到国际领先水平，努力使VLSI工艺检测、碳纳米管场致发射器件等方面达到国际先进水平，努力使新型高速器件与功率器件及集成技术研究、SOI器件基础研究达到国内领先水平；大力将片式电解电容器、多层陶瓷电容和现已设计开发的集成电路等成果向产业化转化；继续广泛与国际一流研究机构进行学术交流，努力把本学科建设成国家一流学科，为国家建设和西部大开发培养更多的高层次专业人才。